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因此，红法论原位XRD表征技术的引入，可提升我们对电极材料储能机制的理解，并将快速推动高性能储能器件的发展。散射角的大小与样品的密度、利方厚度相关，因此可以形成明暗不同的影像，影像将在放大、聚焦后在成像器件上显示出来。

近日，大佬东的伊王海良课题组利用XANES等先进表征技术研究富含缺陷的单晶超薄四氧化三钴纳米片及其电化学性能（Adv.EnergyMater.2018,8,1701694）,如图一所示。红法论此外通过EAXFS证明了富含缺陷的四氧化三钴中的Co具有更低的配位数。近日,Ceder课题组在新型富锂材料正极的研究中（Nature2018,556,185-190）取得了重要成果，利方如图五所示。

近年来国际知名期刊上发表的锂电类文章要不就是能做出突破性的性能，大佬东的伊要不就是能把机理研究的十分透彻。红法论此外机理研究还需要先进的仪器设备甚至是原位表征设备来对材料的反应进行研究。

该研究工作利用了XANES等技术分析了富含缺陷的四氧化三钴的化学环境，利方从而证明了其中氧缺陷的存在及其相对含量。

利用同步辐射技术来表征材料的缺陷，大佬东的伊化学环境用于机理的研究已成为目前的研究热点。红法论（b）高分辨率EELS的FeSe/ST16O（＃isotope_16）和FeSe/ST18O（＃isotope_18）的电子能量损失谱图。

（c）围绕M的EDCs，利方用于强度分析的背景，扣除背景的光电子谱，以及相应的拟合。【小结】本文结合了高质量的FeSe/STO的薄膜生长，大佬东的伊16O↔18O同位素替代的界面调控及全面深入的角分辨光电子能谱研究，大佬东的伊对高质量和可控掺杂的样品进行了超导能隙的定量分析。

单层FeSe和可极化衬底之间界面处的Tc增强效应，红法论引起了对Tc增强机制的研究。（d）能量分布曲线（EDCs）的二阶导数，利方反映了＃isotope_16和＃isotope_18的γ带在动量位置kA和kB（相应的动量位置标示在（c）图中）的结合能。